ক্যাপাসিটি ফ্ল্যাশ মেমরির তথ্য

দরকারী তথ্য যে আমরা বৈদ্যুতিন আকারে সঞ্চয় করতে পারেন, একটি নির্দিষ্ট ডিভাইসের ধারণক্ষমতা উপর নির্ভর করে পরিমাণ। দেখুন এই বিন্দু থেকে খুব দরকারী ফ্ল্যাশ মেমরি হয়। ডিভাইস এটি ব্যবহার করা হয়, এর বৈশিষ্ট্য সাধারণভাবে উল্লেখযোগ্য ভলিউম এবং মিডিয়ার ছোট শারীরিক আকার বলা হয়।

ফ্ল্যাশ মেমরি কি?

সুতরাং আমরা বৈদ্যুতিকভাবে reprogrammable মেমরি অর্ধপরিবাহী প্রযুক্তি এক ধরনের কল। একটি দেখুন প্রযুক্তিগত বিন্দু থেকে তথাকথিত সম্পূর্ণ সার্কিটের, স্থায়ী স্টোরেজ নির্মানের সিদ্ধান্ত।

দৈনন্দিন জীবনে ফ্রেজ "ফ্ল্যাশ মেমরি" হয় কঠিন অবস্থা ডিভাইসের একটি বিস্তৃত শ্রেণী নির্দেশ করতে ব্যবহার সংরক্ষণকারী তথ্য, একই প্রযুক্তি ব্যবহার করে তৈরি। গুরুত্বপূর্ণ সুবিধার যে তাদের ব্যাপক ব্যবহার নেতৃত্বে আছেন:

1. সংহতি।
2. মূল্যহীনতা।
3. যান্ত্রিক শক্তি।
4. প্রচুর পরিমাণে।
5. গতি।
6. কম বিদ্যুত ব্যবহার।

এই কারণে সমগ্র ফ্ল্যাশ মেমরি অনেক পোর্টেবল ডিজিটাল ডিভাইস খুঁজে পাওয়া যেতে পারে, সেইসাথে একটি সংখ্যা মিডিয়া। দুর্ভাগ্যবশত, যেমন ক্যারিয়ারের প্রযুক্তিগত অপারেশন সীমিত সময় এবং ইলেকট্রস্ট্যাটিক নিষ্কাশনও সংবেদনশীলতা যেমন অপূর্ণতা আছে। কিন্তু কি ফ্ল্যাশ মেমরি ধারণক্ষমতা থাকতে? অসম্ভাব্য অনুমান, কিন্তু চেষ্টা পাবে। ফ্ল্যাশ মেমরি সর্বোচ্চ ধারণক্ষমতা বিরাট আকারের পৌঁছতে পারে: তাই, তার ছোট আকার, স্টোরেজ মিডিয়া সত্ত্বেও 128 গিগাবাইট বিক্রয়ের জন্য উপলব্ধ এখন কম লোকই অবাক সক্ষম হবে। দূরে নয় যখন 1 টিবি সামান্য আগ্রহী হতে হবে।

সৃষ্টির ইতিহাস

প্রিকার্সর যা অতিবেগুনি রশ্মি ও বিদ্যুতের মাধ্যমে মুছে ফেলা হয় স্থায়ী স্টোরেজ ডিভাইসের বিবেচিত। তারা একটি ট্রানজিস্টার অ্যারের একটি ভাসমান গেট ছিল। শুধু এখানে ইলেকট্রন তাতে প্রকৌশল বৃহৎ তৈরি করে বাস্তবায়িত বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র তীব্রতা পাতলা অস্তরক করুন। কিন্তু এই দ্রুত বাড়তে তারের এলাকায় ম্যাট্রিক্স উপাদান প্রতিনিধিত্ব, যখন এটি বিপরীত ক্ষেত্রের শক্তি প্রতিষ্ঠা করতে প্রয়োজন ছিল।

তার সমাধানের ঘনত্ব সমস্যা সার্কিট মুছে হয় ইঞ্জিনিয়ারদের কঠিন ছিল। 1984 সালে এটা সফলভাবে সমাধান করা হয়েছে, কিন্তু প্রক্রিয়া আদল একটি নতুন প্রযুক্তি "ফ্ল্যাশ" নামক ফ্ল্যাশ এর (ইংরেজিতে - "ফ্ল্যাশ")।

অপারেশন নীতিকে

এটা তোলে রেজিস্ট্রেশন এবং বৈদ্যুতিক চার্জ পরিবর্তনের যা অর্ধপরিবাহী কাঠামো একটি বিচ্ছিন্ন এলাকায় উপর ভিত্তি করে তৈরি। এই প্রসেস উৎস এবং পাতলা অস্তরক মধ্যে ভোল্টেজ বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের জন্য একটি বৃহৎ ক্ষমতা এই স্থাপন করা হয় গেট মধ্যে ঘটতে কারণ যথেষ্ট ছিল সুড়ঙ্গ প্রভাব পকেট এবং ট্রানজিস্টার চ্যানেল মধ্যে। এটা শক্তিশালী করা, ইলেকট্রন সামান্য ত্বরণ ব্যবহার করে, এবং তারপর গরম বাহকদের ইনজেকশন ঘটে। পঠন তথ্য নির্ধারিত হয় একটি ক্ষেত্র প্রভাব ট্রানজিস্টার। পকেট এটা গেট কাজটি করে থাকে। তার সম্ভাব্য ট্রানজিস্টার বৈশিষ্ট্য রেকর্ড করা হয় এবং সার্কিট পড়া হয় চৌকাঠ পরিবর্তন করা হয়। নকশা উপাদানের যা দিয়ে এটা যেমন কোষ বৃহৎ অ্যারের সঙ্গে কাজ সম্ভাব্য বাস্তবায়ন আছে। অংশের ধারণক্ষমতা ফ্ল্যাশ মেমরি ছোট আকারের কারণে এবং এটি চিত্তাকর্ষক।

NOR- এবং NAND-ডিভাইস

তারা পদ্ধতি, যা একটি একক অ্যারের মধ্যে সেল সংযোগ, সেইসাথে পড়া এবং লেখার আলগোরিদিম ভিত্তিতে আলাদা করা হয়। নর নকশা কন্ডাক্টর ক্লাসিক দ্বি-মাত্রিক ম্যাট্রিক্স, যেখানে কলাম এবং সারি ছেদ এ একটি একক কোষ রয়েছে উপর ভিত্তি করে। ক্রমাগত ট্রানজিস্টার এর ড্রেন সংযুক্ত লাইন কন্ডাকটর, এবং দ্বিতীয় গেট কলাম যোগদান করুন। স্তর, যা সাধারণ সব থেকে সংযুক্ত উৎস। এই নকশা এটা সহজ, এক সারি এবং এক কলামে একটি ইতিবাচক শক্তি দান নির্দিষ্ট ট্রানজিস্টর অবস্থা পড়া করে তোলে।

প্রতিনিধিত্ব কী NAND, একটি ত্রিমাত্রিক অ্যারের কল্পনা। এর ভিত্তি - সব একই ম্যাট্রিক্স। কিন্তু বেশি ট্রানজিস্টর প্রতিটি ছেদ এ অবস্থিত, এবং সিরিজ-সংযুক্ত কোষ নিয়ে গঠিত যা পুরো কলাম, জন্য সেট করা হয়। এই নকশা শুধুমাত্র একটি ছেদ গেট সার্কিট অনেক আছে। যখন এই উল্লেখযোগ্যভাবে (এবং এই ব্যবহার) ঘনত্ব উপাদান বৃদ্ধি করতে পারেন। downside হয় আরো জটিল রেকর্ডিং অ্যালগরিদম একসেস করুন, এবং সেল পড়তে হয়। জন্য, না সুবিধা গতি, এবং অভাব হয় - ফ্ল্যাশ মেমরি সর্বাধিক তথ্য ধারণক্ষমতা। প্লাস এবং মাইনাস - - গতি NAND আকার জন্য।

SLC- এবং MLC-ডিভাইসের

ডিভাইস তথ্য এক বা একাধিক বিট সংরক্ষণ করতে পারেন আছে। প্রথম ধরনের একটি ভাসমান গেট চার্জ মাত্র দুটি মাত্রা হতে পারে। এই ধরনের কোষের এক-বিট বলা হয়। তাদের আরও হবে। বহু-বিট সেল প্রায়ই এছাড়াও বহুস্তরীয় বলা হয়। তারা, আশ্চর্যের ব্যাপার মূল্যহীনতা এবং ভলিউম (একটি ইতিবাচক অর্থে) ভিন্ন, যদিও এটি সাড়া এবং নতুন করে লেখা হয় একটি ছোট সংখ্যা বহন করতে ধীর।

অডিও মেমরির

হিসাবে MLC একটি ধারণা লিখে ফেলা এনালগ সংকেত কোষে। গৃহীত চিপ অপেক্ষাকৃত ছোট প্লেব্যাক শব্দ টুকরা সস্তা পণ্য (খেলনা, উদাহরণস্বরূপ, সাউন্ড কার্ড এবং অনুরূপ কিছু) এ নিযুক্ত করা হয় প্রাপ্ত ফলাফলের আবেদন।

প্রযুক্তিগত সীমাবদ্ধতা

রেকর্ডিং এবং পড়া প্রসেস শক্তি খরচ মধ্যে পার্থক্য। সুতরাং, প্রথম ফর্ম জন্য একটি উচ্চ ভোল্টেজের আছে। একই সময় যখন শক্তি খরচ পড়ার বেশ ছোট।

সম্পদের রেকর্ডগুলি

পরিবর্তনগুলি চার্জ কাঠামো অপরিবর্তনীয় পরিবর্তন সঞ্চিত হয় যখন। সুতরাং, একটি কক্ষের জন্য এন্ট্রি সংখ্যা সম্ভাবনা সীমিত। মেমরি উপর নির্ভর করে এবং ডিভাইস প্রক্রিয়া চক্র শত সহস্র বেঁচে থাকতে পারে (যদিও সেখানে যে কিছু প্রতিনিধি এবং 1000 পর্যন্ত ধরে রাখতে করবেন না)।

বহু-বিট ডিভাইস নিশ্চিত সেবা জীবন সংগঠনের অন্য ধরনের তুলনায় বেশ কম। কিন্তু কেন খুব উপকরণ অবনতি হয়? সত্য যে আপনি স্বতন্ত্রভাবে চার্জ, যা প্রতিটি কক্ষে একটি ভাসমান গেট আছেনিয়ন্ত্রণ করতে পারবে না। রেকর্ডিং এবং মুছে দেওয়ার উভয়ের বিভিন্ন সম্পন্ন করা হয় পরে। গুণ নিয়ন্ত্রণ গড় মান বা রেফারেন্স সেল অনুযায়ী আউট বাহিত হয়। সময়ের সাথে সাথে, সেখানে একজন মেলেনি, এবং চার্জ জায়েয, তবে তথ্য অপাঠ্য হয়ে সীমানা অতিক্রম করতে পারে। উপরন্তু, অবস্থা আরও খারাপ হবে।

আরেকটি কারণ একটি অর্ধপরিবাহী কাঠামো পরিবাহী এবং অন্তরক অঞ্চলের interdiffusion হয়। এভাবে পর্যায়ক্রমে বৈদ্যুতিক breakdowns উঠা, যা গণ্ডি একটি আবছা, শৃঙ্খলা আউট ফ্ল্যাশ মেমরি কার্ড বাড়ে।

তথ্য ধারণ

নিরোধক পকেট অপূর্ণ, তারপর ধীরে ধীরে চার্জ অপচয় যেহেতু। সাধারণত একটি নির্দিষ্ট সময়ের যে তথ্য সংরক্ষণ করতে পারেন - 10-20 বছর। নির্দিষ্ট পরিবেশ আয়তন বহুলাংশে স্টোরেজ সময়ের প্রভাবিত। উদাহরণ হিসেবে বলা যায়, উচ্চ তাপমাত্রা, গামা বিকিরণ বা উচ্চ-শক্তি কণা দ্রুত সমস্ত ডেটা ধ্বংস করতে পারেন। কে সবচেয়ে উন্নত নিদর্শন গর্ব করতে পারে তারা ফ্ল্যাশ মেমরি বৃহৎ তথ্য ধারণক্ষমতা আছে, দুর্বলতা আছে। তারা ইতিমধ্যে দীর্ঘ প্রতিষ্ঠিত এবং সংশোধন ডিভাইস রয়েছে, যা শুধু ফাইন টিউন নয় কম বালুচর জীবন আছে।

উপসংহার

প্রবন্ধের শেষে চিহ্নিত সমস্যার সত্ত্বেও, ফ্ল্যাশ মেমরি প্রযুক্তি যাতে এটি ব্যাপক, খুব কার্যকর। আর এর সুবিধাগুলো কভার সংক্রান্ত ত্রুটিগুলি চেয়ে আরও বেশি। অতএব, ফ্ল্যাশ মেমরি তথ্য ধারণক্ষমতা একটি খুব দরকারী এবং হোম অ্যাপ্লায়েন্স মধ্যে জনপ্রিয় হয়ে উঠেছে।